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FT-351高温四探针电阻率测试系统

FT-351高温四探针电阻率测试系统

一、概述:

采用由四探针双电测量方法测试方阻和电阻率系统与高温试验箱结合配置专用的高温测试探针治具,满足半导体材料因温度变化对电阻值变化的测量要求,通过先进的测控软件可以显示出温度与电阻,电阻率,电导率数据的变化曲线,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

二、适用行业:

广泛用于:生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.

三、功能介绍:液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。

测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

四、技术参数资料

1.方块电阻范围:10-42×105Ω/□

2.电阻率范围:10-5×106cm

3.测试电流范围:0.1μA 1μA10μA100μA1mA10mA100 mA

4.电流精度:±0.1%读数

5.电阻精度:≤0.3%

6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度、电导率

7.测试方式: 双电测量

8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W

9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)

10. 最高温度: 1200℃可调节;冲温值:≤1-3℃;控温精度:±1°C

11、升温速度:9999分钟以内自由设定,一般10分钟内即可升到900℃;功率:3kw.

12、炉膛材料:采用复合陶瓷纤维材料,具有真空成型,高温不掉粉的特征。

13.专用测试PC软件一套,USB通讯接口,软件界面同步显示、分析、保存和打印数据!

14.选购:电脑和打印机

FT-351高温四探针电阻率测试系统

FT-351 high temperature four probe resistivity test system

.概述:overview

采用四探针双电组合测量方法测试方阻和电阻率系统与高温箱结合配置专用的高温四探针测试探针治具与PC软件对数据的处理和测量控制,满足半导体材料的电导率对温度变化测量要求,先进的测控软件实时绘制出温度与电阻,电阻率,电导率数据的变化曲线图谱,及过程数据值的报表分析.

Adopt four probe double electric combination test method to test square resistance and resistivity system . Combined with high temperature box for special high temperature four-point probe test probe jig with PC software for data processing and measurement control. Meet the test requirements of  the conductivity of the semiconductor material to temperature change. Advanced measurement and control software to Real-time render the change curve of  temperature and resistance, the resistivity, the electrical conductivity data,and process data values statement analysis.

.适用行业:Applicable industry:

广泛用于:企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜等新材料方块电阻、电阻率和电导率数据.

Is widely used in: Corporate. colleges and universities and scientific research departments of conductive ceramics. silicon. germanium single crystal (bar. wafer) resistivity. The determination of silicon epitaxial layer and diffusion layer and ion implantation of square resistance as well as the measurement of conductive glass (ITO) and other new materials such as conductive films square resistance and resistivity and conductivity data.

双电测四探针仪是运用直线四探针双位测量。设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。

The double electric four-point probe is used to measure the four probes in a straight line.The design conforms to the national standard of the single-crystal silicon physical test method and the American A.S.T.M standard.

.型号及技术参数Models and technical parameters

规格型号Models

FT-351A

FT-351B

FT-351C

1.方块电阻范围sheet resistance

10-52×105Ω/□

10-62×105Ω/□

10-41×107Ω/□

2.电阻率范围resistivity range

10-62×106Ω-cm

10-72×106Ω-cm

10-52×108Ω-cm

3.测试电流范围test current range

0.1μA.μA.0μA100µA1mA10mA100 mA

1A100mA10mA1mA100uA10uA1uA0.1uA

10mA ---200pA

4.电流精度current accuracy

±0.1%读数

±0.1读数

±2%

5.电阻精度resistance accuracy

≤0.3%

≤0.3%

≤10%

PC软件界面

PC software interface

显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

LCD: resistance.resistivity. sheet resistance.  temperature.unit conversion. temperature coefficient. current. voltage. probe shape. probe spacing. thickness

7.测试方式test mode

双电测量Double electrical measurement

8.四探针仪工作电源working power

AC 220V±10%.50Hz  <30W

 

9.整机不确定性误差/ machine uncertain errors

≤3%(标准样片结果 standard samples

≤15%

最高温度(选购)Highest temperature

(choose and buy)

常温 Normal temperature -400℃;600℃;800℃;1000℃;1200℃;1400℃;1600

气氛保护(气体客户自备)

Atmosphere protection(Gas was provided by customers themselves)

常用气体如下:氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均为无色、无臭、气态的单原子分子

The usual gases are: helium (He). neon (Ne). argon (Ar). krypton (Kr). xenon (Xe). and radon (Rn). all in colorless. odorless. gaseous monatomic molecules.

温度精度

Temperature precision

冲温值 Blunt temperature values:≤1-3℃;控温精度 control precision:±1°C

升温速度:

rate of temperature increase

常温开始400--800℃需要15分钟;800-1200℃需要30分钟;1400-1600℃需要250分钟—300分钟

About 15 minutes at room temperature to 400 . 800 ;800 to 1200 need 30 minutes;1400 to 1600 to 250 minutes. 300 minutes

高温材料

High temperature material

采用复合陶瓷纤维材料,具有真空成型,高温不掉粉的特征Adopt composite ceramic fiber material. have vacuum forming. high temperature not drop powder

PC软件

PC software

专用测试PC软件一套,USB通讯接口,软件界面同步显示、分析、保存和打印数据!One set Special test PC software. USB communication interface. software interface synchronization display. analysis. save and print data!

电极材料

Electrode materials

钨电极或钼电极

Tungsten electrode or molybdenum electrode

探针间距

The probe spacing

直线型探针,探针中心间距:4mm;样品要求大于13mm直径Linear probe. probe center spacing: 4mm;Sample requirements are greater than 13mm diameter

标配外(选购):

Except standard configuration (optional)

电脑和打印机1套;2.标准电阻1-5个;

1 . One set computer and printer  2.Standard resistance 1 to 5pcs

高温电源:

High temperature power

供电:400-1200℃ 电源220V,功率4KW380V;1400-1600℃电源380V;功率9KW

Power supply: 400-1200 power 220 v. 4 kw power;380 v;1400 to 1600  power supply380V ;  power 9KW

 

 

 

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